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标题
A Novel 4H-SiC SGT MOSFET with Improved P+ Shielding Region and Integrated Schottky Barrier Diode
具有改进P+屏蔽区和集成肖特基势垒二极管的新型4H-SiC SGT MOSFET
相关领域
材料科学 肖特基二极管 光电子学 二极管 MOSFET 碳化硅 电气工程 肖特基势垒 栅氧化层 电磁屏蔽 电容 电压 工程类 晶体管 电极 化学 复合材料 物理化学
网址
https://www.mdpi.com/2072-666X/15/7/933/pdf?version=17216456...
AI链接 mdpi.com mdpi.com nih.gov doaj.org nih.govdoi.org
DOI
10.3390/mi15070933 doi
其它 期刊：Micromachines
作者：Xiaobo Cao; Jing Liu; Yingnan An; Xing Ren; Zhonggang Yin
出版日期：2024-07-22
求助人
yyyn 在 2025-12-05 18:17:44 发布自天津，悬赏 10 积分
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