| 标题 |
 Oxygen Vacancy Transition in HfOx‐Based Flexible, Robust, and Synaptic Bi‐Layer Memristor for Neuromorphic and Wearable Applications 用于神经形态和可穿戴应用的基于HfOx的柔性、鲁棒和突触双层忆阻器中的氧空位跃迁
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
材料科学
光电子学
双层
X射线光电子能谱
透射电子显微镜
纳米技术
电子工程
计算机科学
人工神经网络
化学工程
化学
机器学习
工程类
生物化学
膜
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced Materials Technologies 作者：Aftab Saleem; Dayanand Kumar; Amit Singh; Sailesh Rajasekaran; Tseung‐Yuen Tseng 出版日期：2022-02-24 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
cdercder
eee
bc
遇上就这样吧
冰魂
余味
科研小民工
YifanWang
dodo
路人
昏睡的蟠桃
核桃
Singularity
斯寜
andrele
铜锣湾小研仔
back you up
剑指东方是为谁
归尘
夜白
皖公网安备34019202002308
