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Laterally scaled down tiered-edge ohmic structure of InP-based HEMTs for 2-S/mmg/sub m/ and 500-GHz f/sub T/ |
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期刊:IEEE InternationalElectron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. 作者:H. Matsuzaki; T. Maruyama; T. Kosugi; H. Takahashi; M. Tokumitsu; T. Enoki 出版日期:2005 |
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(2025-6-4)