Light‐Mediated Multi‐Level Flexible Copper Iodide Resistive Random Access Memory for Forming‐Free, Ultra‐Low Power Data Storage Application

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标题	Light‐Mediated Multi‐Level Flexible Copper Iodide Resistive Random Access Memory for Forming‐Free, Ultra‐Low Power Data Storage Application
网址	http://dx.doi.org/10.1002/adfm.202211022
DOI	10.1002/adfm.202211022 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Dhananjay Mishra; Krishnaiah Mokurala; Ajit Kumar; Seung Gi Seo; Hyeon Bin Jo; et al 出版日期：2022-11-28
求助人	谣谣在 2026-08-12 13:35:43 发布自英国，悬赏 10 积分
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