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Rigorous mathematical calculation of p- and n-mobility as functions of mechanical stress, electric field, current direction and substrate indices for scaled CMOS designing
按比例CMOS设计中p迁移率和n迁移率随机械应力、电场、电流方向和衬底指数变化的严格数学计算
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期刊:Digest of Technical Papers. 2004 Symposium on VLSI Technology, 2004. 作者:T. Okada; H. Yoshimura 出版日期:2004-11-08 |
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