| 标题 |
 Measurement of ionization loss of 50 GeV protons in silicon with smoothly tunable up to 1 cm thickness using a single flat detector 使用单个平板探测器测量厚度可平滑调节至1 cm的硅中50 GeV质子的电离损失
相关领域
探测器
硅
电离
质子
航程（航空）
梁（结构）
物理
带电粒子
光学
平均自由程
原子物理学
材料科学
核物理学
光电子学
离子
散射
量子力学
复合材料
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Instrumentation 作者：Р. М. Нажмудинов; A. Shchagin; A. Kubankin; A. G. Afonin; G. I. Britvich; et al 出版日期：2022-01-01 |
| 求助人 |
Lucas
在
2025-08-29 17:55:11 发布，悬赏 10 积分
|
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
爱静静
linkman
Virtual
飲啖茶食個包
喜悦荧
GingerF
qiuer7
aldehyde
安详的忆安
小花排草
七月流火
小天
核桃
AAA
mayhem
风清扬
lkkkkk
pluto
Billy
zhonghebi
皖公网安备34019202002308
