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标题
Low Leakage Current β-Ga2O3 Self-Aligned Trench Junction Barrier Schottky Diodes
低漏电流β-Ga2O3自对准沟槽结势垒肖特基二极管
相关领域
沟槽 光电子学 二极管 材料科学 肖特基二极管 金属半导体结 泄漏(经济) 肖特基势垒 纳米技术 宏观经济学 经济 图层(电子)
网址
DOI
10.1109/ted.2025.3571880 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
作者:Shengliang Cheng; Yuru Lai; Xing Lü; Tiecheng Luo; Haowen Luo; et al
出版日期:2025-01-01
求助人
Ben34 在 2025-09-19 10:51:49 发布自江苏,悬赏 10 积分
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