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Study and optimising performance of enhancement‐mode monolithically integrated white‐light HEMT‐LED by inserting of InGaN quantum wells
InGaN量子阱增强型单片集成白光HEMT-LED性能研究与优化
相关领域
高电子迁移率晶体管 光电子学 模式（计算机接口） 材料科学 计算机科学 工程类 电气工程 晶体管 电压 操作系统
网址
https://doi.org/10.1002/jnm.3289
DOI
10.1002/jnm.3289 doi
其它 期刊：International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks Devices and Fields
作者：Hindol Bhattacharjee; Anup Dey; Preetisudha Meher
出版日期：2024-09-01
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英姑 在 2025-08-17 13:21:22 发布，悬赏 10 积分
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