| 标题 |
 Influence of annealing temperature on optical properties of InGaN quantum dot based light emitting diodes 退火温度对InGaN量子点发光二极管光学性能的影响
相关领域
退火（玻璃）
材料科学
发光二极管
光电子学
量子点
蓝移
二极管
透射电子显微镜
光致发光
润湿层
发光
宽禁带半导体
纳米技术
复合材料
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Qi Wang; T. Wang; Jie Bai; A. G. Cullis; P. J. Parbrook; et al 出版日期：2008-08-25 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
DW
无极微光
Nole
共产主义战士
秋风
xing_xing
cdercder
v0id
Ali
学术文献互助
渡人舟
aaaa
潇洒的惋清
爱吃樱桃的菁菁
nimtewang
科研狗
罗Eason
aajhajkahna
OK
fx
皖公网安备34019202002308
