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 Effects of high-temperature annealing on electrical properties of Si-doped β -Ga2O3 thin films grown by low-pressure hot-wall MOCVD 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Jun Jason Morihara; M. Y. Bando; Junya Yoshinaga; Yoshinao Kumagai; Masataka Higashiwaki 出版日期：2025-10-06 |
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