| 标题 |
Grown-in defects in nitrogen-doped Czochralski silicon 掺氮直拉硅中的生长缺陷
相关领域
硅
材料科学
退火(玻璃)
薄脆饼
氧气
降水
氮气
结晶学
空位缺陷
兴奋剂
空隙(复合材料)
杂质
晶体缺陷
分析化学(期刊)
冶金
纳米技术
化学
复合材料
光电子学
有机化学
气象学
物理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Journal of Applied Physics 作者:Xuegong Yu; Deren Yang; Xiangyang Ma; Jiansong Yang; Liben Li; et al 出版日期:2002-07-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|