Optimization of gas flow and etch depth uniformity for plasma etching of large area GaAs wafers

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标题	Optimization of gas flow and etch depth uniformity for plasma etching of large area GaAs wafers 等离子体刻蚀大面积GaAs晶片的气体流量和刻蚀深度均匀性的优化相关领域薄脆饼蚀刻（微加工）材料科学干法蚀刻反应离子刻蚀等离子体刻蚀等离子体流量（数学）腐蚀坑密度砷化镓体积流量电极光电子学分析化学（期刊）化学复合材料图层（电子）机械色谱法物理物理化学量子力学
网址	http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00328-8
DOI	10.1016/s0038-1101(01)00328-8 doi
求助人	李凡儒在 2025-12-30 15:51:11 发布自甘肃，悬赏 10 积分
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