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 Investigating metal oxide resists for patterning 28-nm pitch structures using single exposure extreme ultraviolet: defectivity, electrical test, and voltage contrast study 使用单次曝光极紫外研究用于图案化28纳米间距结构的金属氧化物抗蚀剂：缺陷率、电测试和电压对比研究
相关领域
抵抗
铜互连
材料科学
极紫外光刻
临界尺寸
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期刊：Journal of Micro/Nanopatterning Materials and Metrology 作者：Sujan K. Sarkar; Sayantan Das; Víctor M. Blanco Carballo; Philippe Leray; Sandip Halder 出版日期：2022-10-28 |
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