| 标题 |
 Design and Process Variation Analysis of High-performance n and p-channel Insulated-gate Asymmetric-DG MOSFET 高性能n沟道和p沟道绝缘栅非对称DG MOSFET的设计与工艺变化分析
相关领域
材料科学
晶体管
光电子学
MOSFET
栅氧化层
小型化
排水诱导屏障降低
工艺变化
场效应晶体管
和大门
电气工程
逻辑门
纳米技术
电压
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Silicon 作者：Namrata Mendiratta; Suman Lata Tripathi; Manoj Singh Adhikari 出版日期：2023-09-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
cdercder
Copyright
22336
ale
行走的荷尔蒙
yjh123
嘉心糖
arniu2008
sagitar
乐空思
Nole
舒适的向南
啵啵
昏睡的蟠桃
pokexuejiao
虚幻小土豆
aaaa
lili
MozzieMiao
皖公网安备34019202002308
