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标题
Investigation of the Progressive Gate Breakdown Behaviors in p-GaN Gate HEMTs
p-GaN栅极HEMT中渐进式栅极击穿行为的研究
相关领域
金属浇口 量子隧道 材料科学 光电子学 击穿电压 肖特基势垒 肖特基二极管 晶体管 电气工程 电压 栅氧化层 工程类 二极管
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3220498
DOI
10.1109/ted.2022.3220498 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Chao Xin; Chengkang Tang; Jingjing Tan; Chen Wang; Qingqing Sun; et al
出版日期：2022-11-15
求助人
称心的沛槐 在 2025-12-04 02:35:15 发布自重庆，悬赏 10 积分
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