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 Magnetic Modification of the InTe Monolayer Induced by Doping a Transition Metal Atom (TM = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co) and Strain Engineering 掺杂过渡金属原子(TM=Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co）和应变工程对InTe单层的磁性改性
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期刊：The Journal of Physical Chemistry C 作者：Mengfan Chen; Ruifang Xue; Ping Wu 出版日期：2024-08-06 |
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