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[高分]
 Novel MOSFET Based Pressure Sensor That Uses Combined Channel Piezoresistance and Gate Capacitance Effects 利用沟道压阻和栅极电容组合效应的新型MOSFET压力传感器
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期刊：Recent Trends in Sensor Research and Technology 作者：Ajay Ap; KN Bhat; Navakanta Bhat; SM Kulkarni 出版日期：2015-01-01 |
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