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 暗场晶圆缺陷检测系统孔径设计方法研究 |
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| 其它 | 摘要：随着半导体制造工艺的技术节点达到5nm，需要检测的晶圆表面缺陷尺寸也随之缩小，必须通过高精度、高分辨力的检测以确保晶圆的清洁度，这使得晶圆缺陷的检测问题成为半导体制造领域的热点问题。 暗场缺陷检测方法是一种通过收集晶圆表面的散射信号对缺陷进行识别和分类的非接触式光学检测方法，具有高流片速度、高精度等特点，占据了晶圆检测设备的主要市场。但是由于该方法是非成像式的检测方法，散射信号的强度远小于入射光和反射光强度，噪声的存在极大影响检测精度，从而直接决定系统的检测极限。晶圆表面是非完全光滑的，存在的微观起伏会发生微弱的散射，称为薄雾信号，此类信号是普遍存在的底层信号，是影响暗场缺陷检测系统精度的主要因素。通过优化入射条件，如入射光波长、偏振态、入射角等，可以在一定程度上提高系统的信号对比度，其效果受制于系统结构。此外，选择性地阻挡散射信号的孔径能提升信号对比度，但现有的孔径是基于实际工程经验设计的，设计过程是非解析的，提升信号对比度的能力受到限制，且需要海量的实验数据用以设计孔径图案，过程复杂，成本极高。针对以上暗场缺陷检测系统对晶圆表面缺陷的检测和识别问题，本文开展了相应的研究工作。 |
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