Monolayer M N H 2 ( M , N = C, Si, Ge): Enabling sub-5-nm MOSFETs compatible with silicon-based manufacturing

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标题	Monolayer M N H 2 ( M , N = C, Si, Ge): Enabling sub-5-nm MOSFETs compatible with silicon-based manufacturing
网址	https://link.aps.org/article/10.1103/pp8h-r8wk
DOI	10.1103/pp8h-r8wk doi
其它	期刊：Physical Review Applied 作者：Hao-Ran Hu; Yan-Dong Guo; Shao-Jin Xia; Yue Jiang; Ye-Wei Chen; et al 出版日期：2025-12-24
求助人	尼可在 2026-03-11 17:55:12 发布自陕西，悬赏 10 积分
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