标题 |
Effects of surface traps on breakdown voltage and switching speed of GaN power switching HEMTs
相关领域
材料科学
光电子学
电压
击穿电压
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功率(物理)
晶体管
功率半导体器件
电气工程
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DOI |
10.1109/iedm.2001.979575
doi
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其它 |
期刊:International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224) 作者:N.-Q. Zhang; B. Moran; S.P. DenBaars; U.K. Mishra; X.W. Wang; T.P. Ma 出版日期:2002-11-14 |
求助人 |
mostwangyu 在
2021-08-03 08:05:29 发布,悬赏 10 积分
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