Application of the Density Matrix Formalism for Obtaining the Channel Density of a Dual Gate Nanoscale Ultra-Thin MOSFET and its Comparison with the Semi-Classical Approach

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标题	Application of the Density Matrix Formalism for Obtaining the Channel Density of a Dual Gate Nanoscale Ultra-Thin MOSFET and its Comparison with the Semi-Classical Approach 相关领域光电子学
备注	求正式发表版本
网址	https://doi.org/10.1142/S0219581X20500106
DOI	10.1142/S0219581X20500106 doi
其它	期刊：International Journal of Nanoscience 作者：Surender Pratap; Niladri Sarkar 出版日期：2020
求助人	jlwang 在 2021-02-22 15:03:25 发布，悬赏 30 积分
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