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  Enhancing electrical performance and stability of nanometer-thin ITO transistors via thermally oxidized alumina passivation layer 通过热氧化氧化铝钝化层提高纳米薄ITO晶体管的电学性能和稳定性
相关领域
钝化
材料科学
图层（电子）
光电子学
晶体管
薄膜晶体管
阈值电压
纳米
铝
纳米技术
冶金
电压
复合材料
电气工程
工程类
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期刊：AIP Advances 作者：Qingguo Gao; Tianfan Cao; Jiabing Li; Feng Chi; Liming Liu; et al 出版日期：2023-07-01 |
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