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标题
High-temperature and continuous wave-operation of all-MOCVD grown InAs/GaAs quantum dot laser diodes with highly strained layer and low temperature p-AlGaAs cladding layer
具有高应变层和低温p-AlGaAs包层的全MOCVD生长InAs/GaAs量子点激光二极管的高温和连续波工作
相关领域
包层（金属加工） 材料科学 光电子学 金属有机气相外延 化学气相沉积 量子点 二极管 图层（电子） 激光器 活动层 光学 外延 纳米技术 复合材料 物理 薄膜晶体管
网址
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.173823
DOI
10.1016/j.jallcom.2024.173823 doi
其它 期刊：Journal of Alloys and Compounds
作者：Ho-Sung Kim; Seung‐Chul Lee; Young‐Ho Ko; Joon Tae Ahn; Kap‐Joong Kim; et al
出版日期：2024-02-10
求助人
儒雅的豁 在 2025-06-17 11:29:54 发布自江苏，悬赏 10 积分
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