1.4 kV Irradiation-Hardened β-Ga2O3 Heterojunction Barrier Schottky diode under 107 ions/cm2 Fluence and 82.1 MeV∙cm2/mg LET Environments

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标题	1.4 kV Irradiation-Hardened β-Ga2O3 Heterojunction Barrier Schottky diode under 107 ions/cm2 Fluence and 82.1 MeV∙cm2/mg LET Environments 107离子/cm2注量和82.1 MeV·cm2/mg LET环境下的1.4 kV辐照硬化β-Ga2O3异质结势垒肖特基二极管相关领域辐照通量离子材料科学二极管原子物理学肖特基二极管肖特基势垒光电子学分析化学（期刊）物理化学核物理学色谱法量子力学
网址	https://doi.org/10.1109/led.2025.3553579
DOI	10.1109/led.2025.3553579 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Na Sun; Zhengliang Zhang; Feng Zhou; Tianqi Wang; Fangfang Ren; et al 出版日期：2025-01-01
求助人	摔跤的猫在 2025-06-10 16:46:36 发布自广西，悬赏 10 积分
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