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  A 211-to-263-GHz Dual-LC-Tank-Based Broadband Power Amplifier With 14.7-dBm P SAT and 16.4-dB Peak Gain in 130-nm SiGe BiCMOS 基于211~263 GHz双LC槽的宽带功率放大器，在130 nm SiGe BiCMOS中具有14.7 dBm P SAT和16.4 dB峰值增益
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期刊：IEEE Journal of Solid-State Circuits 作者：Jiayang Yu; Jixin Chen; Peigen Zhou; Huanbo Li; Zuojun Wang; et al 出版日期：2022-07-25 |
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