| 标题 |
Defect-Based Empirical Model for On-State Degradation in Sub-20-nm DRAM Periphery pFETs Under Arbitrary Condition 相关领域
德拉姆
可靠性(半导体)
降级(电信)
材料科学
光电子学
电子工程
氧化物
计算机科学
半导体器件建模
动态随机存取存储器
电气工程
功率(物理)
工程类
CMOS芯片
物理
量子力学
半导体存储器
冶金
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Da Wang; Longda Zhou; Yongkang Xue; Pengpeng Ren; Lining Zhang; et al 出版日期:2022-10-13 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|