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标题
A Large Signal GaN HEMT Transistor Based on the Angelov Model Parameters Extraction Applied to Single Stage Low Noise Amplifier
基于Angelov模型参数提取的大信号GaN HEMT晶体管在单级低噪声放大器中的应用
相关领域
高电子迁移率晶体管 放大器 材料科学 晶体管 大信号模型 晶体管型号 噪声系数 光电子学 噪音（视频） 低噪声放大器 信号（编程语言） 电子工程 电压 电气工程 功率（物理） 物理 计算机科学 工程类 人工智能 图像（数学） 量子力学 CMOS芯片 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1007/s42341-022-00390-z
DOI
10.1007/s42341-022-00390-z doi
其它 期刊：Transactions on Electrical and Electronic Materials
作者：Abdelkrim Belmecheri; Mustapha Djebari
出版日期：2022-03-18
求助人
情书 在 2025-12-05 17:33:37 发布自上海，悬赏 10 积分
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