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 Array‐Level Integration of MoS 2– Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Ferroelectric Memristors for in‐Memory Image Preprocessing in Neural Networks 相关领域
记忆电阻器
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期刊：Small 作者：Jee Hwan Lee; Won‐Woo Lee; Jung Um Park; Whan Kyun Kim; Do Kyeong Yun; et al 出版日期：2026-09-10 |
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