An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness

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标题	An effective work-function tuning method of nMOSCAP with high-k/metal gate by TiN/TaN double-layer stack thickness 用TiN/TaN双层层厚度调整高k/金属栅nMOSCAP功函数的有效方法相关领域锡 NMOS逻辑材料科学金属浇口工作职能光电子学图层（电子）硅扩散阻挡层栅氧化层纳米技术晶体管电气工程冶金电压工程类
网址	https://doi.org/10.1088/1674-4926/35/9/096001
DOI	10.1088/1674-4926/35/9/096001 doi
其它	期刊：Journal of Semiconductors/Journal of semiconductors 作者：Xueli Ma; Hong Yang; Wenwu Wang; Huaxiang Yin; Huilong Zhu; et al 出版日期：2014-09-01
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