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 GaN HEMT with AlGaN back barrier for high power MMIC switch application 具有AlGaN背势垒的GaN HEMT用于高功率MMIC开关应用
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期刊：Journal of Semiconductors 作者：Chunjiang Ren; Hongchang Shen; Zhonghui Li; Tangsheng Chen; Bin Zhang; et al 出版日期：2015-01-01 |
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