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  Low-temperature annealing behavior of defects in Mg-ion-implanted GaN studied using MOS diodes and monoenergetic positron beam 相关领域
退火（玻璃）
材料科学
离子注入
二极管
离子
正电子湮没谱学
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接受者
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Masamichi Akazawa; Ryo Kamoshida; Shunta Murai; Tetsu Kachi; Akira Uedono 出版日期：2020-12-15 |
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