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 Sensitivity Analysis of Ge Source Double Gate TFET under Heavy Ion Irradiation 重离子辐照下锗源双栅TFET的灵敏度分析
相关领域
辐照
重离子
灵敏度（控制系统）
光电子学
离子
材料科学
逻辑门
化学
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电子工程
工程类
核物理学
有机化学
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期刊：IEEE Sensors Journal 作者：Shreyas Tiwari; Rajesh Saha; Girdhar Gopal; Tarun Varma 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 |
小宁同学
在
2025-08-30 18:58:42 发布，悬赏 10 积分
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