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 Experimental and simulation studies of surface segregation-limited nitrogen incorporation at the growth front of physical vapor transport-grown 4H-SiC crystals 相关领域
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Takuto Ota; Shunsuke Asano; Yuta Inoue; Noboru Ohtani 出版日期：2023-07-26 |
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