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 Improved Breakdown Voltage and RF Power Characteristics of GaN HEMTs by Layered C/Fe-Doped GaN Buffer 相关领域
材料科学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Qian Yu; Meng Zhang; Ling Yang; Zou Xu; Hao Lu; et al 出版日期：2025-08-15 |
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