The impact of post-deposition annealing on the performance of solution-processed single layer In 2 O 3 and isotype In 2 O 3 /ZnO heterojunction transistors

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标题	The impact of post-deposition annealing on the performance of solution-processed single layer In 2 O 3 and isotype In 2 O 3 /ZnO heterojunction transistors
网址	http://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2017/TC/C6TC04907A
DOI	10.1039/c6tc04907a doi
其它	期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Kornelius Tetzner; Ivan Isakov; Anna Regoutz; David J. Payne; Thomas D. Anthopoulos 出版日期：2016-12-15
求助人	DG 在 2026-08-02 18:55:50 发布自福建，悬赏 10 积分
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