Substrate-Mediated Persistent Photodoping in WSe2/hBN Field-Effect Transistors Enabled by Defect States in SiO2

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标题	Substrate-Mediated Persistent Photodoping in WSe2/hBN Field-Effect Transistors Enabled by Defect States in SiO2
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acsami.6c08218
DOI	10.1021/acsami.6c08218 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Sung-Ha Kim; Seong-Yeon Lee; Tae-Jeong Kim; Beomkyu Shin; Young-Jun Yu; et al 出版日期：2026-07-31
求助人	liuyu 在 2026-08-27 16:31:03 发布自罗马尼亚，悬赏 10 积分
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