Radiation resilience of Silicon-On-Insulator Vertical Super Thin Body (SOI VSTB) field-effect transistors: A TCAD simulation study on SEE effects

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标题	Radiation resilience of Silicon-On-Insulator Vertical Super Thin Body (SOI VSTB) field-effect transistors: A TCAD simulation study on SEE effects 绝缘体上硅垂直超薄体（SOI VSTB）场效应晶体管的辐射弹性：SEE效应的TCAD模拟研究
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S277301232...
DOI	10.1016/j.micrna.2025.208238 doi
其它	期刊：Micro and Nanostructures 作者：Vikas Kumar; Rajesh Saha; Srimanta Baishya 出版日期：2025-06-10
求助人	DDD 在 2025-06-13 09:01:44 发布自江西，悬赏 10 积分
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