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 Efficiency droop alleviation in InGaN/GaN light-emitting diodes by graded-thickness multiple quantum wells 渐变厚度多量子阱缓解InGaN/GaN发光二极管效率下降
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期刊：Applied Physics Letters 作者：C. H. Wang; Sheng-Po Chang; W. T. Chang; J. C. Li; Y. S. Lu; et al 出版日期：2010-11-01 |
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