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 Channel-Shortening Effect Suppression of a High-Mobility Self-Aligned Oxide TFT Using Trench Structure 采用沟槽结构抑制高迁移率自对准氧化物TFT沟道缩短效应
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Junsung Kim; Do‐Hyung Kim; Seong‐In Cho; Seung Hee Lee; Wooseok Jeong; et al 出版日期：2021-12-01 |
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