Ultra-scaled 55 nm InAlN/InGaN/GaN/AlGaN HEMT on β-Ga2O3 substrate: A TCAD-Based performance analysis for high-frequency power applications

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标题	Ultra-scaled 55 nm InAlN/InGaN/GaN/AlGaN HEMT on β-Ga2O3 substrate: A TCAD-Based performance analysis for high-frequency power applications
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S277301232...
DOI	10.1016/j.micrna.2025.208169 doi
其它	期刊：Micro and Nanostructures 作者：A. Revathy; R. Thangam; D. Haripriya; S. Maheswari; P. Murugapandiyan 出版日期：2025-04-09
求助人	JessieNN 在 2026-06-04 19:03:15 发布自江苏，悬赏 40 积分
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Journal of Special Operations Medicine (JSOM)

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