Drastic Mobility Enhancement of GaN MOSFETs with Graded AlGaN Buried-Channel Formed by Aluminum Thermal Diffusion

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标题	Drastic Mobility Enhancement of GaN MOSFETs with Graded AlGaN Buried-Channel Formed by Aluminum Thermal Diffusion
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/10872985/10872987/108734...
DOI	10.1109/iedm50854.2024.10873442 doi
其它	期刊：2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：T. Kondo; K. Ueno; R. Tanaka; T. Inamoto; S. Takashima 出版日期：2025-02-19
求助人	小瓶子在 2026-04-11 16:45:31 发布自中国，悬赏 10 积分
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