| 标题 |
Minority carrier lifetime and operating voltage dependence on the barrier layer thickness in nBn infrared photodetectors 相关领域
光电探测器
材料科学
红外线的
光电子学
阻挡层
图层(电子)
载流子寿命
电压
耗尽区
光学
半导体
硅
物理
复合材料
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Infrared Physics & Technology 作者:Matthias Tornay; A. Ramiandrasoa; Maxime Bouschet; Jean-Philippe Pérez; J.-L. Reverchon; et al 出版日期:2025-04-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)