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 Enhancement-Mode GaN Transistor Technology for Harsh Environment Operation 适用于恶劣环境工作的增强型GaN晶体管技术
相关领域
晶体管
光电子学
材料科学
氮化镓
宽禁带半导体
模式（计算机接口）
电气工程
电子工程
计算机科学
工程物理
电压
工程类
纳米技术
操作系统
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Mengyang Yuan; John Niroula; Qingyun Xie; Nitul S. Rajput; Kai Fu; et al 出版日期：2023-05-24 |
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