| 标题 |
 Impact of sidewall spacer materials and gate underlap length on negative capacitance double-gate tunnel field-effect transistor (NCDG-TFET) 侧壁间隔材料和栅极下搭接长度对负电容双栅隧道场效应晶体管（NCDG-TFET）的影响
相关领域
隧道场效应晶体管
电容
光电子学
场效应晶体管
材料科学
双闸门
晶体管
负阻抗变换器
领域（数学）
物理
MOSFET
电气工程
工程类
电压
量子力学
电压源
纯数学
数学
电极
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Solid-State Electronics 作者：Seungwon Go; Shinhee Kim; Jae Yeon Park; Dong Keun Lee; Hyung Ju Noh; et al 出版日期：2022-10-14 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
无极微光
Meyako
嘻嘻哈哈
quhayley
Criminology34
xxfsx
GingerF
Zx_1993
吴彦祖
avalanche
小青椒
殷勤的紫槐
风吹麦田
hucchongzi
风中冰香
Maestro_S
yznfly
Mic
彭于彦祖
一一
iNk
mashibeo
gengen
皖公网安备34019202002308
