Rational Fabrication of Dual-Channel Layered InGaSnO Thin-Film Transistors Through High-/Low-Power Sputtering Technique

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标题	Rational Fabrication of Dual-Channel Layered InGaSnO Thin-Film Transistors Through High-/Low-Power Sputtering Technique 高/低功率溅射技术合理制备双沟道层状InGaSnO薄膜晶体管
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2025.3633649
DOI	10.1109/ted.2025.3633649 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhenyu Han; Da Wan; Ablat Abliz 出版日期：2025-01-01
求助人	优秀绮彤在 2025-12-10 12:49:16 发布自陕西，悬赏 10 积分
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