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 Heterogeneous 3-D Sequential CFET With Strain-Engineered Ge (100) Top-Channel pMOSFET on Bulk Si (100) nMOSFET 体Si（100）nMOSFET上应变工程Ge（100）顶沟道pMOSFET的异质三维顺序CFET
相关领域
材料科学
MOSFET
拉伤
光电子学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Hyeongrak Lim; Seong Kwang Kim; Seung Woo Lee; Youngkeun Park; Jaejoong Jeong; et al 出版日期：2025-01-01 |
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