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A Novel Asymmetric Trench SiC Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor with a Poly-Si/SiC Heterojunction Diode for Optimizing Reverse Conduction Performance 用于优化反向传导性能的新型非对称沟槽SiC金属氧化物半导体场效应晶体管和多晶硅/SiC异质结二极管
相关领域
材料科学
光电子学
二极管
异质结
沟槽
MOSFET
晶体管
碳化硅
电压
电气工程
纳米技术
复合材料
工程类
图层(电子)
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| 其它 |
期刊:Micromachines 作者:Yiren Yu; Zijun Cheng; Yi Hu; Ruiyi Lv; Shengdong Hu 出版日期:2024-03-29 |
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