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Physical Reservoir Computing Utilizing Ion‐Gating Transistors Operating in Electric Double Layer and Redox Mechanisms 利用双电层离子门控晶体管和氧化还原机制进行物理储层计算
相关领域
门控
晶体管
材料科学
计算机科学
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离子
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期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Takashi Tsuchiya; Daiki Nishioka; Wataru Namiki; Kazuya Terabe 出版日期:2024-11-20 |
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