Fabricating atomically abrupt, surface-gated devices in silicon

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标题	[高分] 学位论文 Fabricating atomically abrupt, surface-gated devices in silicon
网址	http://hdl.handle.net/1959.4/51892
DOI	10.26190/unsworks/15449 doi
其它	期刊：UNSW Sydney 作者：Daniel Wilkinson-Thompson 出版日期：2011-01-01
求助人	爱科研的萌新在 2026-07-03 15:46:30 发布自广东，悬赏 50 积分
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