Effect of nitrogen incorporation into Al-based gate insulators in AlON/AlGaN/GaN metal–oxide–semiconductor structures

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标题	Effect of nitrogen incorporation into Al-based gate insulators in AlON/AlGaN/GaN metal–oxide–semiconductor structures
网址	http://stacks.iop.org/1882-0786/9/i=10/a=101002/pdf
DOI	10.7567/apex.9.101002 doi
其它	期刊：Applied Physics Express 作者：Ryohei Asahara; Mikito Nozaki; Takahiro Yamada; Joyo Ito; Satoshi Nakazawa; et al 出版日期：2016-09-21
求助人	温柔的沛蓝在 2026-09-14 21:40:55 发布自江苏，悬赏 10 积分
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